← Все чипыHiSilicon Kirin 9000S
HiSilicon Kirin 9000S — проверенные технические сведения с сохранёнными источниками у каждого поля. Маркировка, производство и техпроцесс подтверждены лабораторным анализом TechInsights. Другие версии чипа и конкретные региональные конфигурации смартфонов не наследуют эти параметры автоматически.
Возможности платформы не гарантируют наличие функции в каждом смартфоне. Проверяйте номер модели, рынок и память.
Подтверждённые характеристики
Центральный процессорТехпроцесс
SMIC N+2, 7 нм FinFET HKMGПо непосредственному лабораторному анализу TechInsights. Эквивалентность Kirin 9000 не установлена; CPU и GPU базового чипа не переносились.
Значение относится к отдельной версии или редакции спецификации. Оно не переносится на другие исполнения.
Источник и область применимости
Отдельная версия платформы, указанная в источнике.
www.techinsights.comThe Hi36A0 GFCV120 processor die was manufactured by SMIC, using N+2 7 nm finFET high-k metal gate (HKMG) CMOS process.
Производство
SMICПо непосредственному лабораторному анализу TechInsights. Эквивалентность Kirin 9000 не установлена; CPU и GPU базового чипа не переносились.
Значение относится к отдельной версии или редакции спецификации. Оно не переносится на другие исполнения.
Источник и область применимости
Отдельная версия платформы, указанная в источнике.
Маркировка кристалла
Hi36A0 GFCV120По непосредственному лабораторному анализу TechInsights. Эквивалентность Kirin 9000 не установлена; CPU и GPU базового чипа не переносились.
Значение относится к отдельной версии или редакции спецификации. Оно не переносится на другие исполнения.
Источник и область применимости
Отдельная версия платформы, указанная в источнике.
www.techinsights.comThis is a Digital Floorplan Analysis (DFR) of the Hi36A0 GFCV120 die found inside the HiSilicon Kirin 9000S processor.
Смартфоны и отдельные исполнения
Связи с конкретными версиями смартфонов пока не опубликованы.